-
![4H P-Tip SiC levha]()
4H P-Tip SiC levhaP-tipi SiC alt katmanlar, homoepitaksiyel büyüme ve ultra-yüksek-yüksek voltajlı güçlü yarı iletken cihazların geliştirilmesi için tasarlanmıştır. Mükemmel elektriksel ve termal özelliklere sahip bu -
![4H Yarı-Yalıtımlı SiC levha]()
4H Yarı-Yalıtımlı SiC levhaYarı-yalıtkan SiC alt katmanları, yüksek direnç ve mükemmel termal özellikler sunarak onları GaN heteroepitaksiyel büyüme ve yüksek-frekanslı RF yarı iletken uygulamaları için uygun hale getirir. -
![4H N-Tip SiC Substrat]()
4H N-Tip SiC SubstratN-tipi SiC alt katmanlar, gelişmiş güç yarı iletken üretiminde homoepitaksiyel büyüme için tasarlanmıştır. Üstün elektriksel ve termal performansa sahip bu yüksek-performanslı SiC alt tabaka,
