P Tipi 210mm Monokristal Solar Gofret

Büyüme yöntemi

CZ

kristallik

monokristal

Tercihli Etch Teknikleri（ASTM F47-88）

İletkenlik türü

P tipi

Napson EC-80TPN

P/N

dopant

Bor, Galyum

-

Oksijen konsantrasyonu[Oi]

≦8E+17 at/cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Karbon konsantrasyonu[Cs]

≦5E+16 at/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Etch çukur yoğunluğu (çıkık yoğunluğu)

≦500 cm^-3

Tercihli Etch Teknikleri（ASTM F47-88）

Yüzey yönü

& lt;100>±3°

X-ışını Kırınım Yöntemi (ASTM F26-1987)

Sözde kare kenarların oryantasyonu

& lt;010>,<001>±3°

X-ışını Kırınım Yöntemi (ASTM F26-1987)

özdirenç

0,5-1,5 Ωcm

Gofret kontrol sistemi

MCLT (azınlık taşıyıcı ömrü)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(enjeksiyon seviyesi ile: 1E15 santimetre^-3)

Geometri

Tam kare

Gofret Yan uzunluğu

210±0.25 mm

gofret kontrol sistemi

Gofret Çapı

φ295±0.25 mm

gofret kontrol sistemi

Bitişik taraflar arasındaki açı

90° ± 0.2°

gofret kontrol sistemi

Kalınlık

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

TTV (Toplam kalınlık değişimi)

≤27 µm

gofret kontrol sistemi

Kesme yöntemi

DW

--

Yüzey kalitesi

Kesilmiş ve temizlenmiş, görünür kirlenme yok, (yağ veya gres, parmak izleri, sabun lekeleri, bulamaç lekeleri, epoksi/tutkal lekelerine izin verilmez)

gofret kontrol sistemi

Testere işaretleri / adımları

≤ 15µm

gofret kontrol sistemi

yay

≤ 40 µm

gofret kontrol sistemi

çarpıtma

≤ 40 µm

gofret kontrol sistemi

Yonga

derinlik ≤0,3 mm ve uzunluk ≤ 0,5 mm Maks 2/adet; V-çip yok

Çıplak gözler veya gofret kontrol sistemi

Mikro çatlaklar / delikler

İzin verilmedi

gofret kontrol sistemi