P Tipi M10 Monokristalin Güneş Gofreti

Büyüme yöntemi

Cz

Kristallik

Monokristal çizgi

Tercihli Etch Teknikleri（ASTM F47-88）

İletkenlik tipi

P tipi

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant

Bor, Galyum

-

Oksijen konsantrasyonu[Oi]

≦8E+17 / cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Karbon konsantrasyonu[Cs]

≦5E+16 at/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Etch çukuru yoğunluğu (çıkık yoğunluğu)

≦500 cm^-3

Tercihli Etch Teknikleri（ASTM F47-88）

Yüzey yönü

<100>±3°

X-ışını Kırınım Yöntemi (ASTM F26-1987)

Sahte kare kenarların yönü

<010>,<001>±3°

X-ışını Kırınım Yöntemi (ASTM F26-1987)

Direnç

0.5-1.5 Ωcm

Gofret denetim sistemi

MCLT (azınlık taşıyıcı ömrü)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(enjeksiyon seviyesi ile: 1E15 santim^-3)

geometri

Tam kare

Gofret Yan uzunluğu

182±0,25 mm

gofret denetim sistemi

Gofret Çapı

φ247±0,25 mm

gofret denetim sistemi

Bitişik kenarlar arasındaki açı

90° ± 0,2°

gofret denetim sistemi

kalınlık

180﹢20/﹣10 μm;

170﹢20/﹣10 μm

TTV (Toplam kalınlık değişimi)

≤27 μm

gofret denetim sistemi

Kesme yöntemi

Dw

--

Yüzey kalitesi

kesilmiş ve temizlenmiş olarak görünür kirlenme yoktur, (yağ veya gres, parmak izleri, sabun lekeleri, bulamaç lekeleri, epoksi/ tutkal lekelerine izin verilmez)

gofret denetim sistemi

Testere işaretleri / adımları

≤ 15μm

gofret denetim sistemi

yay

≤ 40 μm

gofret denetim sistemi

eğrilik

≤ 40 μm

gofret denetim sistemi

yonga

derinlik ≤0.3mm ve uzunluğu 0.5mm Max 2 / adet ≤;   V çipi yok

Çıplak gözler veya gofret kontrol sistemi

Mikro çatlaklar / delikler

İzin verilmiyor

gofret denetim sistemi