N-Tip M12 Monokristalin Silikon Gofret Belirlemesi

N-Tip M12 Monokristalin Silikon Gofret Belirlemesi

N tipi M12 monokristalin silikon gofret, aktif alanı arttırarak ve yüksek verimli PV modülleri için güç çıkışını artırarak büyük bir sahte kare 210 × 210 mm format (φ295 mm çap) benimser. CZ yöntemi kullanılarak büyütüldü ve fosfor ile katkılı, bir<100>Yüzey yönelimi, düşük çıkık yoğunluğu (500 cm⁻²'den az veya eşit) ve N tipi iletkenlik. 1.0-7.0 ω · cm ve azınlık taşıyıcı ömrünün 1000 µs'den daha büyük veya daha büyük bir direnç aralığı ile, Topcon ve HJT gibi ileri güneş hücresi teknolojileri için idealdir. M12 gofretin optimize edilmiş geometrisi ve yüzey kalitesi, yeni nesil yüksek güçlü modüllerde mükemmel performans sağlar.
Share to
Soruşturma göndermek
Şimdi konuş
Açıklama
Teknik parametreler

CZ silicon crystal growth

n-type-full-square-monocrystalline-solar47199107070 1

 

N tipi M12 monokristalin silikon gofret, aktif alanı arttırarak ve yüksek verimli PV modülleri için güç çıkışını artırarak büyük bir sahte kare 210 × 210 mm format (φ295 mm çap) benimser. CZ yöntemi kullanılarak büyütüldü ve fosfor ile katkılı, bir<100>Yüzey yönelimi, düşük çıkık yoğunluğu (500 cm⁻²'den az veya eşit) ve N tipi iletkenlik. 1.0-7.0 ω · cm ve azınlık taşıyıcı ömrünün 1000 µs'den daha büyük veya daha büyük bir direnç aralığı ile, Topcon ve HJT gibi ileri güneş hücresi teknolojileri için idealdir. M12 gofretin optimize edilmiş geometrisi ve yüzey kalitesi, yeni nesil yüksek güçlü modüllerde mükemmel performans sağlar.

 

 

1. Malzeme Özellikleri

 

Mülk

Spesifikasyon

Denetim yöntemi

Büyüme yöntemi

CZ

 

Kristallik

Monokristal

Tercihli Etch teknikleri(ASTM F47-88)

İletkenlik türü

N-tipi

Napson EC-80TPN

Dopant

Fosfor

-

Oksijen konsantrasyonu [OI]

Daha az veya eşit8e +17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Karbon Konsantrasyonu [CS]

Daha az veya eşit5e +16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Aşındırma çukuru yoğunluğu (çıkık yoğunluğu)

Daha az veya eşit500 cm-2

Tercihli Etch teknikleri(ASTM F47-88)

Yüzey oryantasyonu

<100>± 3 derece

X-ışını kırınım yöntemi (ASTM F26-1987)

Sözde kare tarafların oryantasyonu

<010>,<001>± 3 derece

X-ışını kırınım yöntemi (ASTM F26-1987)

 

2. Elektriksel Özellikler

 

Mülk

Spesifikasyon

Denetim yöntemi

Direnç

1.0-7.0 Ω.cm

Gofret denetim sistemi

MCLT (azınlık taşıyıcı ömrü)

1000 µs'den büyük veya eşit
Sinton BCT-400
Geçici
(Enjeksiyon seviyesi ile: 5E14 cm-3)

 

3. Geometri

 

Mülk

Spesifikasyon

Denetim yöntemi

Geometri

sözde kare

 
Mevcut Kenar şekli
yuvarlak  

Gofret yan uzunluğu

210 ± 0.25 mm

gofret denetim sistemi

Gofret çapı

φ295 ± 0.25 mm

gofret denetim sistemi

Bitişik taraflar arasındaki açı

90 derece ± 0.2 derece

gofret denetim sistemi

Kalınlık

180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
gofret denetim sistemi

TTV (toplam kalınlık varyasyonu)

Daha az veya eşit 27 µm

gofret denetim sistemi

 

N-Type M12 Monocrystalline Silicon Wafer Specification1

 

4.Yüzey özellikleri

 

Mülk

Spesifikasyon

Denetim yöntemi

Kesme yöntemi

DW

--

Yüzey kalitesi

Kesilip temizlendikçe, görünür kontaminasyon yok, (yağ veya gres, parmak izleri, sabun lekeleri, bulamaç lekeleri, epoksi/tutkal lekelerine izin verilmez)

gofret denetim sistemi

Görgü İşleri / Adımlar

15 um'den az veya eşit

gofret denetim sistemi

Yay

40 um'den az veya eşit

gofret denetim sistemi

Çarpıtmak

40 um'den az veya eşit

gofret denetim sistemi

Çip

0,3 mm'den az veya eşit derinlik ve uzunluk 0.5 mm maks. 2/PC'ye eşit veya eşit uzunluk; V-Chip Yok

Çıplak gözler veya gofret denetim sistemi

Mikro çatlaklar / delikler

İzin verilmiyor

gofret denetim sistemi

 

 

 

 

Popüler Etiketler: N-Tip M12 Monokristalin Silikon Gofret Spesifikasyonu, Çin, Tedarikçiler, Üreticiler, Fabrika, Yapıldı Çin

Soruşturma göndermek
Soruşturma göndermek